斯迈得申请一种AC线性抗浪涌耐高压模组专利, 有效提高AC线性模组抗浪涌耐高压应受力
金融界2025年1月31日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市斯迈得半导体有限公司申请一项名为“一种AC线性抗浪涌耐高压模组”的专利,公开号CN119382053A,申请日期为2024年11月。专利摘要显示,本发明公开一种AC线性抗浪涌耐高压模组,通过增加绝缘介质层的厚度来提高共模浪涌的应受力,在绝缘介质层的厚度为360um以上时,耐共模浪涌应受力可达到4KV以上。使得模组在面对高共模浪涌电压时,PCB板不易被击穿,有效避免了因浪涌电压击穿而导致的电路故障。通过采用压敏电阻VR1VR4和绕线电...