金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市斯迈得半导体有限公司申请一项名为“一种AC线性抗浪涌耐高压模组”的专利，公开号CN119382053A，申请日期为2024年11月。专利摘要显示，本发明公开一种AC线性抗浪涌耐高压模组，通过增加绝缘介质层的厚度来提高共模浪涌的应受力，在绝缘介质层的厚度为360um以上时，耐共模浪涌应受力可达到4KV以上。使得模组在面对高共模浪涌电压时，PCB板不易被击穿，有效避免了因浪涌电压击穿而导致的电路故障。通过采用压敏电阻VR1VR4和绕线电阻RT1RT4组成四级防护电路来逐级降低差模浪涌电压，使最终到达后端电路的电压在安全范围内，从而保护后端电路免受高差模浪涌电压的损害，提高模组的耐差模浪涌应受力，使其耐差模浪涌应受力高达6KV以上。本申请有效提高了AC线性模组的抗浪涌耐高压应受力。

天眼查资料显示，深圳市斯迈得半导体有限公司，成立于2009年，位于深圳市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本10600万人民币，实缴资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市斯迈得半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目5次，知识产权方面有商标信息8条，专利信息231条，此外企业还拥有行政许可11个。

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